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IGBT模塊的門極驅動

額定門極驅動電壓:
門極驅動電壓在±20V范圍內施加超過此范圍的電壓時,門極-發射極間的氧化膜(SiO2)有可能發生絕緣破壞或導致可靠性下降。
額定門極驅動電壓
開通-門極驅動電壓:
開通-門極驅動電壓標準為+15V无需存款注册秒送18元。諸如12V、10V的低門極驅動電壓會造成集電極損耗增加。6V時IGBT基本上不開通,此時集電極-發射極上施加電源電壓无需存款注册秒送18元。施加這樣的低門極電壓時无需存款注册秒送18元,有可能由于過大的損耗導致元件損壞。
開通-門極驅動電壓
關斷時門極反向偏置電壓(-VGE):
為避免由于噪聲干擾造成的誤動作,關斷時請在IGBT門極施加(-5V)-(-15V)的反向偏置電壓无需存款注册秒送18元。
關斷時門極反向偏置電壓(-VGE)
開通門極電壓、關斷時門極反向偏置電壓與開關速度-噪聲干擾的關系:
如果提高開通門極電壓+VGE,開通速度會上升,開通損耗會下降无需存款注册秒送18元。相反无需存款注册秒送18元,開通時的噪聲干擾會增加。同樣,如果提高關斷門極電壓-VGE无需存款注册秒送18元,關斷速度會上升无需存款注册秒送18元,關斷損耗會下降。相反,關斷時的浪
涌電壓及噪聲干擾會增加无需存款注册秒送18元。+VGE无需存款注册秒送18元、-VGE和下一項的RG都是影響開關速度的主要因素无需存款注册秒送18元。
開通門極電壓、關斷時門極反向偏置電壓
門極阻抗RG和開關特性:
門極阻抗RG和開關特性
門極電容:
輸入電容:Cies = Cge + Cgc
Reverse Transfer 電容:Cres = Cgc
輸出電容:Coes = Cce + Cgc
門極電容
發射極門極反向偏置電壓和門極-發射極之間的阻抗RGE:
由于高dv/dt而導致位移電流流動,并且門極電位上升。
發射極門極反向偏置電壓和門極-發射極之間的阻抗RGE
門極反向偏置電壓和旁路電阻對降低沖擊電流(IGBT損耗)有效
門極反向偏置電壓和旁路電阻對降低沖擊電流(IGBT損耗)有效
門極配線:
為了避免有害的振蕩,請注意以下事項。
● 盡量讓門極配線遠離主電路配線无需存款注册秒送18元,并避免使兩者平行。
● 交叉時,請以正交交叉无需存款注册秒送18元。
● 不要將多根門極配線捆扎在一起。
● 追加共模扼流圈和鐵氧體磁環也可達到一定的效果。
門極配線
門極充電和驅動電流-功率:
門極充電和驅動電流-功率
門極驅動損耗PG无需存款注册秒送18元、最高門極驅動電流iGP的計算范例
(+VGE=15V无需存款注册秒送18元、-VGE=-15V无需存款注册秒送18元、f=10kHz)PG={(+VGE)-(-VGE)}×Qg×f=30×690×10-9×104=0.207 (W)
假設在500ns時開通 ;
iGP = Qg / ton=690×10-9 / 500×10-9=1.4 (A)

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