"

无需存款注册秒送18元拥有全球最顶尖的原生APP,每天为您提供千场精彩体育赛事,无需存款注册秒送18元更有真人、彩票、电子老虎机、真人电子竞技游戏等多种娱乐方式选择,无需存款注册秒送18元让您尽享娱乐、赛事投注等,且无后顾之忧!

"

加入收藏    設為无需存款注册秒送18元
熱銷產品
> 相關技術 > 文章正文

Vishay Siliconix MOSFET 的額定電流

摘要
Vishay 采用三種方式確定MOSFET 的連續漏極電流(ID)額定值无需存款注册秒送18元。這些值記錄在數據表第一頁的“絕對最大額定值”表中,作為設計人員的參考以確定該器件的應用是否正確。該值的計算可以采用通用的方法。不過无需存款注册秒送18元,由于每個PCB 版圖和設計都不同,每個MOSFET 的結構也不同,因此,沒有通用的流程可用來計算每個應用的最大允許電流。Vishay 提供的數值都是在既定條件下得出的,設計人員可根據這些值對特定應用中的MOSFET 的性能進行建模无需存款注册秒送18元。請注意,下述方法是用來計算最大允許連續直流電流。該值不能應用于采用脈沖電流(具有高峰值電流)的直流- 直流轉換器。對于這類應用,必須計算出均方根電流(IRMS),然后與數據表(IRMS << ID MAX)中的ID 額定值進行比較无需存款注册秒送18元。IRMS 的計算公式在大多數的功率電子文章中都可找到无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元。此外,必須將導通或關斷時出現的高瞬時尖峰電流與SOA 曲線進行比較,確定這種尖峰電流是否會損壞MOSFET。
確定ID 額定值的公式法
確定 ID 的第一種方式是采用下述標準電流計算法。在該公式中,TJMAX 是數據表中規定的最大結溫(150 ℃或175 ℃),而TA 是保持MOSFET 穩態運行時允許的最大環境溫度。rDS(on) 是在特定的溫度和驅動電壓(如4.5 V 或10 V)條件下的最大導通電阻的額定值,RthJA 是數據表中規定的 MOSFET的穩態情況下結到外部的熱阻无需存款注册秒送18元。
確定ID 額定值的公式法
下例以Si7884DP 為基礎,其采用PowerPAK® SO-8 封裝的40V MOSFET。
Si7884DP 為基礎无需存款注册秒送18元,其采用PowerPAK® SO-8 封裝的40V MOSFET
從“絕對最大額定值”表,我們獲得以下值:
Si7884DP 為基礎,其采用PowerPAK® SO-8 封裝的40V MOSFET
ID = SQR ROOT OF (150-25)/(0.007x1.8)x65 = 12 A
“絕對最大額定值”表規定在TA 為25 ℃條件下, ID 穩態值為12A。該公式還可用RthJC 代替分母RthJA。數據表提供的RthJC 值是最佳熱阻值,而RthJA 值通常更能代表實際電路板版圖情況。因此,設計者可計算出一個范圍,確定器件工作的界限无需存款注册秒送18元。Vishay 通常提供RthJA 值,以FR4 電路板(用2 oz或更多的銅為焊盤)上的1 英寸X1 英寸的PCB 面積為基礎无需存款注册秒送18元,確定最差條件值。由于在當今大多數的電路板設計中, PCB版圖甚至會采用更小的規則无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元,計算出每個可能設計的值是不切實際的无需存款注册秒送18元,因此无需存款注册秒送18元, Vishay 采用標準的1 英寸X1 英寸條件來計算RthJA 額定值。該公式也可寫成TJ = TA + ID² x rDS(on) x RthJA, 得出的結果相同;不過,這種方法便于更加輕松地了解工作時的動態變化情況。
ID² x rDS(on) 可計算出功耗(W)。RthJA 的單位是 ℃ /W。功率與熱阻乘積的單位為℃无需存款注册秒送18元,因為瓦特(W)被抵消了。將該值加到單位同樣為℃的TA 上无需存款注册秒送18元,會使結溫(TJ)升高。只要該值低于最大額定值(例如150 ℃),所設計器件的結溫就會位于MOSFET 安全工作范圍之內。通常情況下,設計工程師會采用小于最大結溫的值,例如相當于最大結溫的80 %,以便設計器件的結溫不會接近最大值。這是一種很好的做法,Vishay 建議采用這種方式。
確定ID 額定值的封裝限制法
確定MOSFET ID額定值的第二種方法是確定封裝可耐多大的電流无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元。這是在“絕對最大額定值”表中輸入額定值之前采取的下一步无需存款注册秒送18元。使用標準電流計算法得出電流值后,工程師將確定封裝是否能夠經受這么高的電流。對導通電阻rDS(on) 額定值較高的MOSFET 而言无需存款注册秒送18元,通常采用公式計算法就足夠。不過,對于通態電阻rDS(on) 額定值超低的MOSFET 而言,算出的值通常會高于MOSFET 封裝的電流處理能力。MOSFET 封裝最薄弱的部分是將硅晶片與引線框鍵合在一起的引線。根據引線的材料和引線的數量,可確定引線承載電流的值无需存款注册秒送18元。如果電流超過該值,引線就會熔化,導致整個器件
出現毀滅性的損壞。為強化封裝的這部分,利用引線夾代替引線无需存款注册秒送18元。引線夾通常具備更強的電流承載能力无需存款注册秒送18元,因為其金屬用量更多无需存款注册秒送18元。不過无需存款注册秒送18元,可根據硅晶片的尺寸選用不同的引線夾,這意味著電流處理能力也會發生變化。除依據數據表中的最大ID 額定值,沒有其他參考值。如果額定值低于設計人員計算出的值,封裝處理能力應計入額定值。
確定ID 額定值的測量法
確定MOSFET 的最大ID 額定值的第三種方法是通過給器件施加大電流直至擊穿,使器件損壞來獲得无需存款注册秒送18元。這種方法通常用于確定脈沖漏極電流值(IDM),但也可用于確定連續電流額定值。
如果采用這種方法,MOSFET 將達到飽和狀態,不會再有更多的電流通過該器件。在典型尺寸樣品器件上測量該值后无需存款注册秒送18元,該額定值將作為數據表中的額定值(帶有安全裕度) 无需存款注册秒送18元。該安全裕度可達到50%无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元。
結論
有三種方法可用于確定Vishay MOSFET 產品的ID 額定值:公式、封裝限制和實際測量。數據表提供的數值是基于這三種方法得出的極限值无需存款注册秒送18元。不同應用的條件可能不盡相同,但可成為設計人員了解器件限制條件的出發點。遵守相關限制要求,將有助于設計師確保MOSFET 以魯棒而可靠的工作狀態在工作范圍內良好的運行。
    驗證碼: 點擊我更換圖片
       上海菱端電子科技有限公司:
       聯系人:夏小姐
       服務熱線:021-58979561
       業務咨詢qq:447495955
       業務咨詢qq:1852433657
       業務咨詢qq:513845646
       技術支持qq:313548578
       技術交流群:376450741
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       技術支持:  點這里給我發消息
       媒體合作:  點這里給我發消息

    无需存款注册秒送18元