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SiC功率模塊的的使用方法和可靠性

7.1 浪涌電壓的對策
由于SiC模塊開關速度快无需存款注册秒送18元、對應大電流无需存款注册秒送18元,因此會因為模塊內部、或者周邊接線的電感L,產生V = ‐L×dI/dt 的浪涌電壓,某些情況下,還有可能超過額定電壓无需存款注册秒送18元。
為了抑制該情況的發生无需存款注册秒送18元,與Si 模塊一樣无需存款注册秒送18元,推薦以下幾種對應措施。有時可能會影響開關,所以請檢查好波形,再對實際電路進行調整无需存款注册秒送18元。
・主電路和緩沖電路的接線,盡可能設計得粗、短,從而降低接線電感
・電容的安裝位置設置在MOSFET 的附近,從而降低接線電感
・添加緩沖電路
・增大門極電阻,降低dI/dt
緩沖電路舉例:
       <C緩沖電路>                                <RC 緩沖電路>                        <RCD 緩沖電路>
緩沖電路
7.2 誤動作的對策
在半橋電路中无需存款注册秒送18元,當上臂的MOSFET(M1)開啟時,下臂的MOSFET(M2)的續流二極管(外置SBD 或者體二極管)中流通的正向電流反向恢復无需存款注册秒送18元,同時M2 的漏・源極間的電位上升。此時產生的dV/dt 通過M2 的反饋電容Crss 而變成瞬態門極電流(I = Crss×dV/dt)无需存款注册秒送18元,該電流流過門極電阻,從而M2 的門極電位上升无需存款注册秒送18元。當該電壓大大超過門極閾值電壓,則MOSFET(M2)誤動作,從而使上下臂都短路。
SiC 模塊誤動作
由于SiC‐MOSFET 的閾值電壓在Id= 幾mA 的條件下定義,所以只有3V,比較低,但是如果要流通大電流,則門極電壓需要8V 以上无需存款注册秒送18元,非常大,所以實際上對于誤操作的耐性與IGBT 沒有太大的區別。但是,當在有可能發生誤操作的使用環境中,與Si 功率模塊一樣无需存款注册秒送18元,推薦以下的對應措施。有時可能會影響開關无需存款注册秒送18元,所以請檢查好波形,再進行調整无需存款注册秒送18元。
・ 增大關斷時的門極負偏壓
・ 追加門極・源極間電容
・ 門極・源極間追加三極管(有源米勒鉗位)
・ 增大門極電阻,降低開關速度
7.3 RBSOA(反向偏壓安全工作區)
與IGBT 模塊一樣无需存款注册秒送18元,SiC 功率模塊的RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area:反向偏壓安全工作區)覆蓋了額定電流的2 倍×額定電壓的整個范圍。
7.4 SiC模塊的可靠性測試結果
SiC模塊的可靠性測試結果
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