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SiC MOSFET 的可靠性

6.1 門極氧化膜
SiC 上成型的門極絕緣膜的可靠性長年以來受到質疑无需存款注册秒送18元,但是ROHM 通過不斷地研發門極氧化膜成型工藝和優化器件結構,使SiC MOSFET 達到與目前廣泛應用的Si‐MOSFET 和IGBT 同等的品質。CCS TDDB (Constant Current Stress、Time Dependent Dielectric Breakdown) 測試的結果是,SiC MOSFET 中衡量門極氧化膜品質的指標的QBD 為15~20C/cm2无需存款注册秒送18元,與Si‐MOSFET 一致。文章來源:http://www.faneinbox.com/js/178.html
SiC‐MOSFET 中衡量門極氧化膜品質的指標
即使門極絕緣膜的品質比較高,但是因為SiC 晶體中還存在較多的結晶缺陷,所以也有可能因為這些結晶缺陷而引起初期故障。ROHM 通過采用獨特的篩選技術,努力使這些初期故障不流向市場。
HTGB(High Temperature Gate Bias:高溫門極偏壓)測試(+22V, 150℃)的結果是,總計1000個以上的器件無故障無特性變更地通過1000 個小時測試。另外300 個以上的器件通過3000 個小
時的測試也已經確認完畢无需存款注册秒送18元。
6.2 閾值穩定性 (門極正偏壓)
以目前的技術水平,在SiC 上成型的門極絕緣膜的界面上會形成陷阱,如果長時間給門極施加DC 正偏壓,則陷阱會捕獲電子无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元,從而閾值上升无需存款注册秒送18元。但是,該閾值的漂移在Vgs=+22V、150℃的條件
下經過1000 個小時之后,只有0.2~0.3V,非常小,這個水平目前在業界內也是最小的。陷阱基本上是在施加偏置電壓初期的幾十個小時內填滿,之后則無變動地穩定下來无需存款注册秒送18元。
閾值穩定性 (門極正偏壓)
6.3 閾值穩定性(門極負偏壓)
在給門極長時間施加DC 負偏壓的情況下无需存款注册秒送18元,由于空穴被捕獲无需存款注册秒送18元,因此發生閾值降低的情況无需存款注册秒送18元。該閾值變化的程度比正偏壓的情況下要大,當Vgs 為‐10V 以上時无需存款注册秒送18元,閾值降低0.5V 以上无需存款注册秒送18元。第二MOSFET(SCT2[][][]系列无需存款注册秒送18元、SCH2[][][]系列)的門極負偏壓的保證電壓為‐6V。當負偏壓大于‐6V 時,會發生明顯的閾值降低的情況无需存款注册秒送18元,請不要使用。如果施加正負交叉的AC 偏壓的話,由于不斷重復地對陷阱進行充電和放電无需存款注册秒送18元,所以對漂移的影響很少。
閾值穩定性(門極負偏壓)
閾值穩定性(門極負偏壓)
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