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SiC‐SBD 的可靠性

5.1 dV/dt 破壞、 dI/dt 破壞
當施加較大的dV/dt 時无需存款注册秒送18元,SiC‐SBD 的周邊結構就會被破壞,這種破壞模式已經在其他公司的以往產品中得到印證无需存款注册秒送18元,但是根據目前為止的調查无需存款注册秒送18元,ROHM 的SBD 即使在50kV/us 左右的狀態下動作也不會發生這種破壞模式。文章來源:http://www.faneinbox.com/
另外,Si‐FRD 在di/dt 較大的情況下无需存款注册秒送18元,存在因恢復電流Irr 變大而電流集中從而導致破壞的破壞模式无需存款注册秒送18元。而SiC‐SBD 的恢復電流非常小,所以難以發生這種破壞模式。
5.2 SiC‐SBD 的可靠性測試結果

根據規格書中記載的電氣特性來進行故障判定。
Failure criteria: According to the electrical characteristics specified by the specification.
關于可焊性測試无需存款注册秒送18元,判定標準是焊料覆蓋面積≥95%。
Regarding solderability test, failure criteria is 95% or more area covered with solder.
樣品標準:采用可靠性水平90%,故障失效水平λ1=10%,C=0的判定,根據MIL-STD-19500的指數分布型計數一次抽樣表无需存款注册秒送18元,采用22個樣本。


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