"

无需存款注册秒送18元拥有全球最顶尖的原生APP,每天为您提供千场精彩体育赛事,无需存款注册秒送18元更有真人、彩票、电子老虎机、真人电子竞技游戏等多种娱乐方式选择,无需存款注册秒送18元让您尽享娱乐、赛事投注等,且无后顾之忧!

"

加入收藏    設為无需存款注册秒送18元
熱銷產品
> 相關技術 > 文章正文

SiC模塊與IGBT模塊的開關損耗比較

以下展示的是不同三家公司已經產品化的最新(2012 年時)的1200V/100A 等級2in1 結構的IGBT模塊SiC 模塊的比較結果。
4.4.1 總開關損耗的比較
如果選擇了合適的門極電阻,SiC 功率模塊的總開關損耗(Eon + Eoff + Err)能夠比損耗最小的IGBT模塊降低85%。 因此无需存款注册秒送18元,SiC 模塊可以在以往的IGBT 模塊無法達到的50KHz 以上驅動无需存款注册秒送18元,也可以使 電抗器等被動器件小型化。而且,在通常的IGBT 模塊中,由于存在由開關損耗引起的發熱問題,只能使用額定電流的一半左右的電流工作,但是,SiC 模塊的開關損耗很小,所以在高頻驅動時也不用取大幅度的電流降額就可以使用。也就是說,SiC 功率模塊可以替換額定電流更大的IGBT模塊无需存款注册秒送18元。文章來源:http://www.faneinbox.com/js/173.html
SiC 功率模塊的總開關損耗
4.4.2 恢復損耗(Err)的比較
IGBT 模塊中的FRD 的峰值反向恢復電流Irr、反向恢復時間trr 很大无需存款注册秒送18元,所以產生較大的損耗,而SiC‐SBD 的Irr、trr 非常小,損耗值幾乎可以忽略不計。
恢復損耗(Err)的比較
4.4.3 Turn‐on 損耗(Eon)的比較
回流臂上產生的恢復電流貫通到相對一側,從而使開關器件的Turn‐on 損耗增大。與恢復損耗一樣无需存款注册秒送18元,二極管的恢復越快无需存款注册秒送18元,SiC 功率模塊的Turn‐on 損耗越小。而且外部門極電阻越小,損耗越小无需存款注册秒送18元。
Turn‐on 損耗(Eon)的比較
4.4.4 Turn‐off 損耗(Eoff)的比較
IGBT 的Turn‐off 損耗是由尾電流引起的,所以對門極電阻的依賴性不是特別明顯无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元,一般都很大。而SiC‐MOSFET 在原理上不存在尾電流,所以可以超快速、低損耗地進行開關動作无需存款注册秒送18元。另外,外部門極電阻阻值越低,損耗越小。轉載請注明出處:http://www.faneinbox.com/
Turn‐off 損耗(Eoff)的比較


    驗證碼: 點擊我更換圖片
       上海菱端電子科技有限公司:
       聯系人:夏小姐
       服務熱線:021-58979561
       業務咨詢qq:447495955
       業務咨詢qq:1852433657
       業務咨詢qq:513845646
       技術支持qq:313548578
       技術交流群:376450741
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       技術支持:  點這里給我發消息
       媒體合作:  點這里給我發消息

    无需存款注册秒送18元