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SiC 功率模塊的開關特性

通過以下的電感負荷雙脈沖測試對SiC 功率模塊的開關特性進行評估。模塊內部的寄生電感約為25nH,電路的寄生電感約為15nH。
電感負荷雙脈沖測試電路
4.3.1 漏極電流依賴性以及溫度依賴性
受益于SBD(或者MOSFET 的體二極管)的快速恢復特性,SiC 功率模塊的恢復損耗Err 基本為零无需存款注册秒送18元。而且MOSFET 中不存在尾電流,所以與IGBT 相比无需存款注册秒送18元,Eoff 也非常的小。Eon 和Eoff 基本上隨電流呈比例增加的趨勢(上升率取決于外部Rg)无需存款注册秒送18元。Si‐FRD 的恢復電流和IGBT 的尾電流在高溫下會增大无需存款注册秒送18元,相對之下无需存款注册秒送18元,由多數載流子器件構成的SiC 模塊隨溫度變化產生的損耗變化非常小。由于在高溫下閾值會降低,所以Eon 變小,而Eoff 有稍微變大的趨勢无需存款注册秒送18元。文章來源:http://www.faneinbox.com/js/168.html
Switching Loss vs Drain Current
4.3.2 門極電阻依賴性
在外部門極電阻大的情況下,流向門極的充放電電流值變小,開關速度變慢。與此同時无需存款注册秒送18元,Eon无需存款注册秒送18元、Eoff 增大,從而有可能發揮不出它原本的性能,所以請盡量選擇阻值低一些的門極電阻。
Switching Loss vs Gate Resistance (Tj=25℃)
dV/dt、 dI/dt 針對外部門極電阻的依賴性如下圖所示无需存款注册秒送18元。如果降低外部門極電阻的阻值,則dV/dt无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元、dI/dt 的值會增大。ROHM 的SiC 功率模塊在各種各樣的條件下都進行過實驗,但是在目前的調查中
還沒有發現過dV/dt 破壞、dI/dt 破壞的破壞模式无需存款注册秒送18元。轉載請注明出處:http://www.faneinbox.com
Switching Loss vs Gate Resistance (Tj=25℃)
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dV/dt vs Gate Resistance (Tj=25℃)
dI/dt vs Gate Resistance(Tj=25℃)
4.3.3 門極偏壓依賴性
SiC MOSFET 的Vgs 額定范圍為‐6~+22V。推薦的驅動條件是Vgs(on)=18V、Vgs(off)=0V 或者負偏壓使用情況下的‐3V~‐5V。Vgs(on)、Vgs(off)越大,門極的充放電越快,Eon无需存款注册秒送18元、Eoff 越小。但是請在額定范圍內使用。
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