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SiC模塊的特征與電路構成

SiC 模塊內置的功率半導體元件全部由SiC構成,與Si(硅)材質的IGBT模塊相比,可大幅降低開關損耗。 內置SiC-SBD无需存款注册秒送18元、SiC-MOSFET,與傳統的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高頻環境下工作成為可能。
4.1 SiC 模塊的特征
現在无需存款注册秒送18元,針對大電流的功率模塊中廣泛應用的主要是由Si 的IGBT 和FRD 組成的IGBT 模塊无需存款注册秒送18元。ROHM在世界上首次開始推出搭載了SiC‐MOSFET 和SiC‐SBD 的功率模塊。由IGBT 的尾電流和FRD 的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過切換為SiC 功率模塊可以明顯地減少无需存款注册秒送18元,因此具有以下效果:
1. 開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化无需存款注册秒送18元无需存款注册秒送18元、水冷/強制風冷的自然風冷化)
2. 工作頻率的高頻化无需存款注册秒送18元,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)
主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。文章來源:http://www.faneinbox.com/js/157.html
4.2 電路構成
現在量產中的SiC 功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1 類型的模塊,分為由SiC MOSFET+ SiC SBD 構成的類型和只由SiC MOSFET 構成的類型這兩種无需存款注册秒送18元,請根據用途進行選擇。
SiC 功率模塊尺寸
模塊外觀如下圖:
SiC 功率模塊外觀
SiC 功率模塊電路圖(半橋電路)
■SiC‐MOSFET + SiC‐SBD 組成
SiC‐MOSFET + SiC‐SBD
■SiC‐MOSFET 組成
SiC‐MOSFET
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